[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010381095.1 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113629144B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杜娟娟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括：衬底；栅氧化层，位于衬底内或衬底上；栅极，位于栅氧化层的表面，栅极包括单晶硅层。栅极包括单晶硅层和金属层，栅极在容易产生GIDL效应的区域材质为单晶硅而非金属，因此能够有效的降低GIDL效应，同时单晶硅阻抗较低，可以有效降低栅极的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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