[发明专利]一种利用热蒸发铝种子层制备顶栅型场效应管的方法有效
| 申请号： | 202010376603.7 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111627990B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 彭刚;杨航;罗威;秦石乔 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/24;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 何为;李宇 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种利用热蒸发铝种子层制备顶栅型场效应管的方法，其先热蒸发超薄金属至二维材料表面，然后使二维材料表面干燥，并在干燥箱中自然氧化为种子层，再利用原子层沉积法在二维材料表面生长高介电常数栅介质。所述高介电常数栅介质为Al |
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| 搜索关键词： | 一种 利用 蒸发 种子 制备 顶栅型 场效应 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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