[发明专利]高反向耐压的氮化镓整流器及其制作方法

摘要

本发明属于半导体工艺技术领域，尤其涉及高反向耐压的氮化镓整流器，在深沟槽结构槽底正下方间隔设有第二导电类型结构，第二导电类型结构包括第一子结构，第一子结构与深沟槽结构平行且中心对齐设置，第一子结构包括上部和下部，上部的宽度大于深沟槽结构的宽度，下部的宽度小于深沟槽结构的宽度。本发明还提供上述高反向耐压的氮化镓整流器的制作方法，工艺兼容性高，不需要额外的复杂工艺，在深沟槽结构槽底多次外延形成第二导电类型结构，加快了肖特基势垒区的夹断，降低整流器的反向漏电流，此外第二导电类型结构中的第一子结构的宽度大于深沟槽结构槽底的宽度，有效提高器件的反向临界击穿电场，这使得器件的反向耐压能力得到进一步的提升。