[发明专利]一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法有效
| 申请号： | 202010369832.6 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111509036B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 王鑫华;刘新宇;黄森;蒋浩杰;魏珂;殷海波;樊捷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 吴利芳 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有技术中介质与(Al,In)GaN材料之间居高不下的界面态问题。本发明低界面态复合介质结构，包括：(Al,In)GaN基板、Si |
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| 搜索关键词： | 一种 匹配 氮化 材料 界面 复合 介质 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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