[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010364865.1 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113594134A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的所述基底内具有源漏掺杂区；在所述基底上形成第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所述栅极结构和所述源漏掺杂区；在所述第一层间介质层内形成接触孔，所述接触孔暴露出所述栅极结构表面和所述源漏掺杂区表面；在所述接触孔底部和侧壁上形成阻挡层；在所述接触孔内形成第一金属层，所述第一金属层的顶部表面低于所述阻挡层的顶部表面。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，有利于减小RC延迟，提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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