[发明专利]一种III族氮化物半导体集成电路结构、制造方法及其应用

摘要

本发明提供一种III族氮化物半导体集成电路结构、制造方法及其应用。所述集成电路结构是基于III族氮化物半导体的HEMT与HHMT的互补型电路，能在同一个衬底上实现HEMT与HHMT的集成，且HEMT与HHMT分别具有垂直界面的极化结，两者的极化结的晶向不同，二维载流子气在平行于所述极化结方向上形成载流子沟道，并借助掩埋掺杂区域而几乎耗尽对应的沟道载流子。与传统的硅基CMOS相比，本发明的集成电路结构在载流子迁移率、导通电流密度、开关速度等方面都具有优势，能够实现低导通电阻、低的寄生电感和器件的常关状态，能达到更高的导通电流密度、更高的集成度和能耗小的技术效果。