[发明专利]可阵列控制的智能半桥开关模块及其控制方法在审

专利信息
申请号: 202010357705.4 申请日: 2020-04-29
公开(公告)号: CN111431430A 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 石勇;申铭炎 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: H02M7/797 分类号: H02M7/797;H02M7/81
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 郭瑶
地址: 710021*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了可阵列控制的智能半桥开关模块及其控制方法,在将传统IGBT功率模块内IGBT芯片分成阵列的同时给每个芯片的二极管支路增加了一个电子开关,电子开关可以选用MOSFET。增加的电子开关使得在二极管导通和关断也可控,在二极管支路续流过程中通过对各个二极管支路的分别控制使得其承受的电流应力变得平滑,减小了由于电应力波动对二极管造成的冲击和损耗,增加了功率模块的使用寿命,进一步提高了功率模块自由度和应用灵活性。
搜索关键词: 阵列 控制 智能 开关 模块 及其 方法
【主权项】:
暂无信息
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