[发明专利]晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010355275.2 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111524972B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈显平;李万杰;王黎明;张旭;罗厚彩;王少刚 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;王淑梅 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括从下至上依次层叠的衬底、第一半导体层、第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层中分别具有第一二维电子气沟道和第二二维电子气沟道，漏电极与第一二维电子气沟道欧姆接触，源电极与第二二维电子气沟道欧姆接触，栅电极穿过第二半导体层延伸至第一二维电子气沟道。从而在施加在栅电极的电压大于电压阈值的时候，栅介质层两侧形成垂直于第二半导体层的二维电子气的电子导电沟道，通过电子导电沟道电连接源电极和漏电极，进而能够弱化了晶体管击穿电压对横向栅漏极距离的依赖，在不增加源漏极间距的情况下能够增加器件的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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