[发明专利]基于绝缘层上硅衬底的单结晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010350749.4 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111509040B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 万景;黄逸轩;陈颖欣 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70;H01L29/423;H01L21/33 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 包姝晴;张静洁 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的单结晶体管，包含绝缘层上硅衬底、第一基区、第二基区、发射区，以及第一基区金属接触、第二基区金属接触、发射区金属接触和背栅金属接触；所述绝缘层上硅衬底进一步包含衬底、氧化埋层和沟道，氧化埋层位于衬底和沟道之间。本发明中绝缘层上硅衬底通过引入绝缘层即氧化埋层将沟道与衬底隔绝，从而降低寄生电容和漏电效应。本发明所述单结晶体管建立绝缘层上硅衬底上，有助于提高器件的工作速度，降低漏电和工艺难度，同时还具有抗辐射、耐高温高压以及拓展单结晶体管功能等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 绝缘 层上硅 衬底 单结晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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