[发明专利]基于多棱台阵列的硅基全光控太赫兹波调制器及方法在审

专利信息
申请号: 202010350491.8 申请日: 2020-04-28
公开(公告)号: CN111522152A 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 文岐业;申朝阳;杨青慧;陈智;王元圣;冯正;谭为;张怀武 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G02F1/01 分类号: G02F1/01;G01M11/02
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于太赫兹功能器件领域,具体提供了一种基于多棱台阵列的硅基全光控太赫兹波调制器及制备方法和测试方法,包括硅衬底、多棱台阵列、棱台上表面的钝化层。本发明中,多棱台阵列能减少激光反射率,提高对激光的利用率;多棱台阵列不会增加光生载流子的横向扩散距离,不会因此而影响太赫兹成像的对比度和分辨率;且能增加对太赫兹波的调控面积。钝化层不但能增加硅基全光控太赫兹调制器内部的载流子寿命,而且还能进一步降低激光反射率,明显地提升太赫兹波的调制效果,其调制深度可达91.2%。该全光控太赫兹调制器在低激光功率下拥有高调制深度,且成本低廉,制作简单。
搜索关键词: 基于 多棱台 阵列 硅基全 光控 赫兹 调制器 方法
【主权项】:
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