[发明专利]一种具有弧形栅电极的氮化镓高频晶体管及制作方法在审
| 申请号： | 202010350442.4 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111640795A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;朱肖肖;张进成;王泽宇;郎英杰;周弘;赵胜雷;张雅超;张苇杭;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有弧形栅电极的氮化镓高频晶体管及制作方法，包括：晶圆结构；栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极、所述源电极和所述漏电极设置于所述晶圆结构上，其中，所述栅电极包括栅脚和设置于所述栅脚上的栅头，所述栅头的体积大于所述栅脚的体积，所述栅头与所述栅脚的连接处为弧形。本发明的晶圆结构为氮化镓高迁移率晶体管外延结构，包括衬底层、复合缓冲区、沟道层和复合势垒区，栅电极采用弧形结构，可提高器件的工作频率、增加器件的击穿电压，使器件具有更低的导通电阻和更高的输出电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 弧形 电极 氮化 高频 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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