[发明专利]多晶圆堆叠的晶边处理方法及多晶圆堆叠结构在审
| 申请号： | 202010347474.9 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111508823A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 易洪昇;叶国梁 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/18;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶圆堆叠的晶边处理方法及多晶圆堆叠结构，包括：对所述第i片晶圆的正面边缘区域修边；修边后的所述第i片晶圆具有凸起部；将所述第i片晶圆的所述凸起部面向所述第i‑1片晶圆键合，所述凸起部的投影全部落在所述第i‑1片晶圆所在的层上；对所述第i片晶圆的背面减薄；至少于减薄后的所述第i片晶圆周圈侧面形成填充层。本发明形成填充层，填充层的存在使后续加入堆叠的晶圆的周边不悬空，填充层的支撑可使每次后续堆叠加入的晶圆设置较小的修边宽度，仍能保证减薄过程上晶圆边缘落在下晶圆所在的层上，不引起边缘劈裂；减少晶圆修边宽度，提高晶圆有效面积，减少了修边工艺次数。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 堆叠 处理 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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