[发明专利]一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体及其制备方法和光纤激光器

摘要

本发明提供了一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体，所述可饱和吸收体包括光波导以及设置在所述光波导表面的锡原子插层的三氧化钼纳米材料。本发明基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体中，α‑MoO3的本征带隙可以通过金属Sn插层有效地调节，插层原子能在不干扰α‑MoO3本征结构的情况下，引起晶格变化、缺陷和电荷不平衡，从而减小带隙。Sn插层的超薄α‑MoO3纳米带，形成了稳定的Mo‑O‑Sn‑O‑Mo结构，插层后Sn‑MoO3具有明显的非线性饱和吸收强度、高光损伤阈值、高调制深度。本发明还提供了一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体的制备方法和激光器。