[发明专利]半导体硫化钼-四氧化三铁复合纳米材料红外诱导杀菌及其应用在审
| 申请号： | 202010340206.4 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111328833A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王宏归;戚华晨;张娅 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | A01N59/16 | 分类号： | A01N59/16;A01P1/00;C02F1/30;C02F1/50;B01J27/051;B01J35/00;B01J35/10 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 沈志海 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体硫化钼‑四氧化三铁复合纳米材料红外诱导杀菌及其应用，将六水合三氯化铁与七水合硫酸亚铁置于三孔烧瓶中，加入一定量的去离子水，通氮气20分钟，并搅拌至透明，之后加热到60度，再搅拌5分钟，加入pH为8的氨水溶液，并加热到60‑80度，在空气中老化，之后用吸铁石吸住沉淀部分，用去离子水和乙醇清洗，烘干后得到磁性四氧化三铁纳米粒子。将硫脲和钼酸钠溶于去离子水中，并将之前合成好的四氧化三铁加入硫化钼的合成体系中，于高压釜中反应若干小时后，离心分离得到沉淀物，清洗、烘干过夜，得到硫化钼‑四氧化三铁复合纳米材料。该半导体硫化钼‑四氧化三铁复合纳米材料用于抑制大肠杆菌实验，具有易回收、成本低、性能好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硫化 氧化 复合 纳米 材料 红外 诱导 杀菌 及其 应用 | ||
【主权项】：
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