[发明专利]双通道均匀电场调制横向双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及制作方法在审
| 申请号： | 202010328153.4 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111477681A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 曹震;邓世超;邵奕霖;赵嘉璇;于正洋;焦李成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本申请提出了一种双通道均匀电场调制横向双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及制作方法。该器件的主要特征是基于三倍(Triple)表面电场降低(RESURF)的LDMOS器件在器件基区处通过平面栅工艺和沟槽栅工艺形成双栅结构，以达到双导电通道的效果，从而有效降低器件的比导通电阻Specific On Resistance(R |
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| 搜索关键词： | 双通道 均匀 电场 调制 横向 扩散 金属 氧化物 元素 半导体 场效应 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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