[发明专利]栅指渐宽式GaN FinFET结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010319907.X | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111223928B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 马飞;冯光建;蔡永清 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供一种栅指渐宽式GaN FinFET结构及其制备方法，该结构包括：第二半导体衬底；位于第二半导体衬底上的键合材料层；位于键合材料层上的FinFET结构，包括：栅极、源极、漏极及栅指，其中源极、漏极及栅指由依次层叠的In |
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| 搜索关键词： | 栅指渐宽式 gan finfet 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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