[发明专利]卷式GaN基半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010319858.X | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111223926B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 马飞;冯光建;黄雷 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/473;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种卷式GaN基半导体器件及其制备方法，该器件包括：第二半导体衬底；键合材料层；中空且封闭的卷式管状结构，由外向内包括：具有压应力及张应力的两层SiN层、第二AlyGa1‑yN层、GaN层及第一AlxGa1‑xN层，0x1，0y1。通过形成具有张应力及压应力的两层SiN层，在刻蚀牺牲层过程中，具有不同应力的SiN层之间互相调控自行卷曲形成中空且封闭的卷式管状结构，该三维结构尺寸小；同时，自卷形成的GaN基半导体器件可作为微流通道，内表面受钝化层保护，工艺简单，且可保证半导体器件的散热性能；还可向卷式管状结构的中空部分通入冷却液对半导体器件进行散热，以保证半导体器件在高温条件下的散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | gan 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江集迈科微电子有限公司，未经浙江集迈科微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010319858.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
