[发明专利]一种晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜的制备方法

摘要

本发明属于薄膜材料制备技术领域，公开了一种晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜的制备方法。以氧化锆为靶材，将玻璃基片放置在基板上，将真空腔室抽至2×10‑4～5×10‑4Pa，调整靶材与基板之间的距离，设置脉冲频率为4～6Hz，激光能量为150～350mJ，采用非圆形的激光光斑照射靶材，预沉积1～3min后将脉冲数设置为10000～30000次继续沉积，然后在空气环境中热退火，退火温度为300～400℃，得到晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜。本发明通过激光光斑的形状及基片放置的位置调控薄膜晶型，通过沉积时的脉冲数及靶材‑基板距离等调节厚度，可以实现一次制样得到不同晶型及厚度的氧化锆薄膜。