[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010315712.8 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111524857A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张国伟;许宗能 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是涉及一种半导体结构的制备方法。此半导体结构的制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成一介电层；在所述介电层上形成层间介电层；在所述层间介电层上形成第一介电保护层；微影蚀刻所述第一介电保护层，以形成一图案化第一介电保护层；形成一金属掩模层于所述图案化第一介电保护层上；进行平坦化步骤；形成第二介电保护层；形成第一孔洞；去除剩余所述第二介电保护层；形成第二孔洞；刻蚀所述第一孔洞及所述第二孔洞，形成第一通孔。本发明解决了传统半导体结构的制备方法中易导致蚀刻深度差异过大、对电阻值控制困难等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
