[发明专利]一种氮化铝薄膜及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 202010310886.5 申请日: 2020-04-20
公开(公告)号: CN111364017B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 闫兰琴;褚卫国;徐丽华;赵乐 申请(专利权)人: 国家纳米科学中心
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/52;H01L33/32
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 100190 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种氮化铝薄膜及其制备方法和用途。所述方法采用远程等离子体增强原子层沉积系统,将铝源化学吸附到沉积对象的表面,将氮源与氢气的混合气体形成氮源的等离子体和氢气的等离子体,所述氮源的等离子体与化学吸附在沉积对象表面的铝源进行氮化反应,得到氮化铝薄膜。所述方法中,氢气形成的等离子体有助于破坏铝源的化学键,促进氮化反应,降低沉积温度,实现低温制备氮化铝薄膜,且对沉积对象的损伤较小。此外,所述方法在整个制备过程在强还原性气氛中进行,避免氧对氮化铝薄膜的不利影响。所述氮化铝薄膜均匀、质量高和保形性好,适用于各种衬底及其微纳结构与器件。
搜索关键词: 一种 氮化 薄膜 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
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