[发明专利]交叉点存储器-选择器复合柱堆叠结构及其形成方法

摘要

在嵌置有第一导电结构的第一介电材料层之上形成通孔级介电材料层。穿过通孔级介电材料层形成通孔腔。至少一个笔直侧壁从通孔级介电材料层的顶表面处通孔腔的闭合上部外围垂直延伸到通孔腔的与第一导电结构的顶表面邻接的闭合下部外围。通过依序形成包含下部柱结构及上部柱结构的一组材料部分在通孔腔中形成柱堆叠结构。下部柱结构及上部柱结构包括选择器材料柱及存储器材料柱。可在柱堆叠结构的顶表面上形成第二导电结构。可在阵列配置中使用柱堆叠结构。