[发明专利]激光退火载台在审
| 申请号： | 202010305145.8 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN113539878A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 贾礼宾;刘佑铭 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种激光退火载台，包括：承载平台，其具有相对设置的上表面和下表面，所述上表面用于接触并承载激光退火对象；冷却装置，其设置于所述承载平台的下表面一侧，并通过对所述承载平台的下表面喷布气体冷却介质降低所述承载平台和所述激光退火对象在激光退火过程中的温度。本发明通过喷布气体冷却介质，在激光退火过程中对晶圆正面的器件区域进行冷却，防止晶圆正面器件区域及粘合层的温度因晶圆减薄厚度较薄而在激光退火过程中超出其耐受温度。本发明能够增大激光退火的工艺窗口，也避免了改用耐高温粘合层带来的额外生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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