[发明专利]基于多宽度表征的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法有效
| 申请号： | 202010304673.1 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111338179B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 廖陆峰;李思坤;王向朝 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G03F1/76 | 分类号： | G03F1/76;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于多宽度表征的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法，利用多方向上的宽度表征掩模图形的主要频率特征，并基于主要频率的多方向宽度设计主要频率之间的覆盖规则、主要频率聚类方法和关键图形筛选方法，实现了全芯片光源掩模优化关键图形筛选。本发明包含计算掩模图形的衍射谱、主要频率提取、主要频率聚类和关键图形筛选四个步骤。本发明可以有效筛选出关键掩模图形，增大了全芯片光源掩模优化的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 宽度 表征 芯片 光源 优化 关键 图形 筛选 方法 | ||
【主权项】：
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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