[发明专利]一种高深宽比光刻胶图形处理方法有效
| 申请号： | 202010302902.6 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111399349B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 张远;方振国;卢红亮;胡继明;徐洁 | 申请（专利权）人： | 淮北师范大学 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 235000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高深度比光刻胶图形处理方法，基于等离子体辅助原子层淀积，抑制高深宽比光刻胶图形坍塌和黏连，将显影后的光刻胶图形样品放入原子层淀积设备反应腔，把等离子体辅助离化后的金属或类金属化合物前驱体通入反应腔，在设定反应温度条件下与光刻胶图形大分子表面附着的水分子反应生成金属/类金属‑氧化学键，最后吹扫去除多余反应物和副产物，增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌和变形。本发明极大增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌与黏连；生长工艺简单，用时很短，效率高；生长温度低，不会对光刻胶图形造成新的破坏；去胶时容易清除图形表面附着的金属/类金属‑氧化学键，不会引入新污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 光刻 图形 处理 方法 | ||
【主权项】：
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