[发明专利]一种应变传感器及其制作方法有效
申请号: | 202010301342.2 | 申请日: | 2020-04-16 |
公开(公告)号: | CN113532257B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 吴伟灿;曾中明;蔡佳林;张黎可;林文魁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G01B7/16 | 分类号: | G01B7/16;H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种应变传感器,包括柔性衬底及依序层叠设置于柔性衬底上的第一电极层、磁隧道结器件和第二电极层;其中,磁隧道结器件的电阻随着应变传感器所受应变的变化而改变。本发明还公开了上述应变传感器的制作方法。本发明解决了现有的应变传感器电阻变化率较小、并且随着使用时间传感性能变差,最终导致无法正常工作的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 应变 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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