[发明专利]一种应变传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202010301342.2 申请日: 2020-04-16
公开(公告)号: CN113532257B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 吴伟灿;曾中明;蔡佳林;张黎可;林文魁 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: G01B7/16 分类号: G01B7/16;H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种应变传感器,包括柔性衬底及依序层叠设置于柔性衬底上的第一电极层、磁隧道结器件和第二电极层;其中,磁隧道结器件的电阻随着应变传感器所受应变的变化而改变。本发明还公开了上述应变传感器的制作方法。本发明解决了现有的应变传感器电阻变化率较小、并且随着使用时间传感性能变差,最终导致无法正常工作的问题。
搜索关键词: 一种 应变 传感器 及其 制作方法
【主权项】:
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