[发明专利]基于改进的自适应重要性采样算法的SRAM良率评估方法有效
| 申请号： | 202010293923.6 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN111581909B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 田茜;庞亮;姚梦云;时龙兴;宋慧滨 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06F17/18;G06F119/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 刘莎 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于改进的自适应重要性采样的存储器电路良率评估方法，该方法可以快速精准地评估SRAM单元静态指标和动态指标的失效率。该方法包括：提取代工厂提供的PDK中MOS管的相关工艺参数，通过超球面采样采N个失效点；利用该N个失效点构造N个联合正态分布，并建立相应的混合正态分布作为扭曲的采样函数；在每次迭代中，从前一次的N个联合正态分布产生N个样本点；计算失效率的无偏估计和样本的权重值；归一化样本的权重值，并根据权重值重新进行采样，用重采样的值更新位置参数；完成一轮迭代后，判断是否进行了方差修正，如果没有，利用EM算法更新协方差矩阵，再重新开始迭代；直到相对偏差小于0.1；否则结束算法，输出最终结果。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 改进 自适应 重要性 采样 算法 sram 评估 方法 | ||
【主权项】：
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