[发明专利]半导体结构及其制作方法

摘要

本揭露实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。一种半导体结构可包括：高电压区；第一深沟沟槽隔离结构，使半导体结构的高电压区与多个低电压区电绝缘；及第二深沟沟槽隔离结构，使半导体结构的高电压区与多个低电压区电绝缘。第一深沟沟槽隔离结构可包括多个介电性侧壁间隔件及位于介电性侧壁间隔件之间的导电性填充材料部分。第二深沟沟槽隔离结构可仅包含至少一种介电材料且可包括介电性深沟沟槽填充结构，所述介电性深沟沟槽填充结构具有与所述多个介电性侧壁间隔件相同的材料组成且具有大于介电性侧壁间隔件的侧向厚度且小于介电性侧壁间隔件的侧向厚度的两倍的侧向厚度。