[发明专利]反熔丝单元及反熔丝阵列在审
| 申请号： | 202010271766.9 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113496989A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/108;H01L27/112 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反熔丝单元及反熔丝阵列，反熔丝单元包括反熔丝器件和二极管；反熔丝器件的正极与位线电连接，反熔丝器件的负极与二极管的正极电连接，二极管的负极与字线电连接。通过上述技术方案，去除了反熔丝单元中晶体管的部分，使得在考虑编程效率时不需要再考虑选择晶体管宽度与尺寸小型化之间的矛盾，二极管的使用使得反熔丝单元的结构变得简单，且尺寸能够达到更小的程度，反熔丝阵列紧凑的排布也能够令反熔丝阵列进一步的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 单元 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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