[发明专利]一种减少抛光片表面划痕方法在审
申请号: | 202010258285.4 | 申请日: | 2020-04-03 |
公开(公告)号: | CN113492399A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 王锡铭;张俊宝;陈猛 | 申请(专利权)人: | 重庆超硅半导体有限公司;上海超硅半导体股份有限公司 |
主分类号: | B25J9/16 | 分类号: | B25J9/16;B25J15/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 400714 重庆市*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: |
本发明是一种集成电路用抛光机减少抛光后硅片表面划痕的方法。通过对化学机械抛光机抛光完成后陶瓷盘取盘流程的设计,将抛光机机械手臂抓取陶瓷盘的流程分为水平拉取动作A和垂直抓取动作B;水平拉取动作A由相同的、周期性发生单元水平拉取动作a(简称为单元动作a)构成,垂直抓取动作B由n个垂直方向上的单元垂直拉取动作(简称单元动作b)组成,在单元动作b中所受的提拉力F |
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搜索关键词: | 一种 减少 抛光 表面 划痕 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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