[发明专利]一种减少抛光片表面划痕方法在审

专利信息
申请号: 202010258285.4 申请日: 2020-04-03
公开(公告)号: CN113492399A 公开(公告)日: 2021-10-12
发明(设计)人: 王锡铭;张俊宝;陈猛 申请(专利权)人: 重庆超硅半导体有限公司;上海超硅半导体股份有限公司
主分类号: B25J9/16 分类号: B25J9/16;B25J15/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 400714 重庆市*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明是一种集成电路用抛光机减少抛光后硅片表面划痕的方法。通过对化学机械抛光机抛光完成后陶瓷盘取盘流程的设计,将抛光机机械手臂抓取陶瓷盘的流程分为水平拉取动作A和垂直抓取动作B;水平拉取动作A由相同的、周期性发生单元水平拉取动作a(简称为单元动作a)构成,垂直抓取动作B由n个垂直方向上的单元垂直拉取动作(简称单元动作b)组成,在单元动作b中所受的提拉力Fn随提拉次数n改变,单元动作a与单元动作b交替进行共同构成陶瓷盘抓取的整体动作,以此使得抓取陶瓷盘过程的水平移动总距离S和垂直移动总距离H最小,在减小机械手损伤的同时减小抛光片产品出现划伤的可能。
搜索关键词: 一种 减少 抛光 表面 划痕 方法
【主权项】:
暂无信息
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