[发明专利]一种集成电路硅片表面氧化膜自适应均匀腐蚀方法有效
| 申请号： | 202010258262.3 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN113496891B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 罗继薇;张俊宝;陈猛 | 申请（专利权）人： | 重庆超硅半导体有限公司;上海超硅半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400714 重庆市北*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成硅片（wafer）表面氧化膜均匀腐蚀去膜方法，应用于集成电路硅片分析过程中硅片表面膜层的均匀腐蚀。本发明方法包含硅片吸附夹具和表面腐蚀方法。硅片吸附夹具主要由托盘、支架、真空管路和高度调整四部分组成，托盘上面有三个真空吸盘，等分分布在以托盘中心为圆心的圆周上，通过内部管路联通真空吸附硅片，通过高度控制器使硅片处于水平状态。硅片表面膜层的均匀腐蚀方法为在硅片中心滴一滴腐蚀液，然后三个真空吸盘按照一定的频率振动，使腐蚀液滴在硅片表面匀速以螺纹渐开线形式运动，从硅片中心一直运动到硅片边缘，达到硅片表面膜层均匀去除的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 硅片 表面 氧化 自适应 均匀 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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