[发明专利]一种基于二维铁电半导体的异源突触电子器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于二维铁电半导体的异源突触电子器件及其制备方法，该异源突触电子器件包括由下至上依次叠置的支撑衬底、背栅电极、介质层、源漏电极和封装层；源漏电极包括源极电极和漏极电极，源极电极和漏极电极之间设置有导电沟道，导电沟道为III2‑VI3型的二维铁电半导体材料；源极电极和漏极电极分别与导电沟道两端连接并形成含有范德华界面的肖特基接触；制备方法包括制备封装层h‑BN和石墨烯电极，制备PVA干法转移膜，石墨烯电极的干法转移，制备石墨烯源漏电极，金属引出电极。本发明提供一种以III2‑VI3二维铁电半导体材料为导电沟道的忆阻晶体管，实现由源漏电极和栅极两端输入调控突触权重的异源突触电子器件。