[发明专利]一种新型电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 202010242685.6 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111261783B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 俞娇仙;张雷;刘光霞;王泰林;陈成敏 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | H10K30/50 | 分类号： | H10K30/50;H10K30/15;H10K71/00 |
| 代理公司： | 济南立木专利代理事务所(特殊普通合伙) 37281 | 代理人： | 高立冬 |
| 地址： | 250300 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体地涉及一种新型电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(1)将导电玻璃清洗后，用等离子清洗机处理，得到预处理后的导电玻璃基片；(2)采用高能球磨法制备GaN纳米材料，然后在导电玻璃基片上旋涂GaN分散液，转移至加热台制备出GaN电子传输层；(3)在GaN电子传输层上旋涂钙钛矿前驱体溶液，旋涂结束后迅速转移至预热的加热台上制得钙钛矿层；(4)在钙钛矿光吸收层上旋涂空穴传输层；(5)将电极蒸镀到所述制备的空穴传输层上，完成钙钛矿太阳能电池制备。本发明使用GaN纳米材料作为电子传输层，能够改善太阳能电池电子传输效率，降低复合速率，从而显著提高器件的光电转换效率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 电子 传输 层钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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