[发明专利]一种励磁调制阳极辅助磁控溅射离子镀膜系统有效

专利信息
申请号: 202010241253.3 申请日: 2020-03-31
公开(公告)号: CN111411337B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 张斌;张俊彦;高凯雄;强力 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/54
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 代理人: 曹向东
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种励磁调制阳极辅助磁控溅射离子镀膜系统,包括连接在一起的真空腔体、真空泵组、真空测量装置、电源控制柜及PLC+ICP+闭环控制系统。真空腔体的一侧通过抽气孔经管道阀体与真空泵组相连,其另一侧与真空测量装置相连;真空腔体设有蚌式对开门的真空腔门体;真空腔门体的正面对称设有一对平面磁控靶,侧面对称设有两对自带布气系统的辅助水冷阳极;每个辅助水冷阳极的外围设有励磁场调制线圈;真空腔体内对称插有两对孪生柱状磁控溅射阴极;柱状磁控溅射阴极、辅助水冷阳极、平面磁控靶、励磁场调制线圈、管道阀体、真空泵组、真空测量装置均分别通过线桥与PLC+ICP+闭环控制系统和电源控制柜相连。本发明可有效阻止靶中毒、提高镀膜质量。
搜索关键词: 一种 调制 阳极 辅助 磁控溅射 离子 镀膜 系统
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院兰州化学物理研究所,未经中国科学院兰州化学物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010241253.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top