[发明专利]溅射装置、以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010239517.1 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111748784A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 市川周平 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种溅射装置、以及半导体装置的制造方法。其以较快的成膜速度形成氧化镓膜。在使氧化镓膜在基板上成长的溅射装置中，包括：腔室；基台，配置在所述腔室内且固定所述基板；镓靶，配置在所述腔室内且含有镓元素；第一电源，向所述镓靶施加电压；以及氧元素供给装置，向所述腔室内供给氧元素。根据该溅射装置，能够以较快的成膜速度形成氧化镓膜。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 以及 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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