[发明专利]MEMS装置及形成MEMS装置的方法有效
| 申请号： | 202010237690.8 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111246355B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 傅思宇;陆晓龙;刘国安 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS装置以及一种形成MEMS装置的方法。所述MEMS装置中，背板包括依次叠加设置的第一介质层、第二介质层以及导电层，其中，所述第一介质层的应力水平高于所述第二介质层，利用第一介质层可以提高背板的整体应力以及刚性，在进行吸合电压测试时，有助于提高测试的灵敏度以及准确性，并且有助于实现较大的背板尺寸的同时确保其拉伸性能。此外，由于导电层仍然与第二介质层接触，第一介质层对导电层的接触性能的影响较小。所述MEMS装置中，第一介质层远离第二介质层的一侧可以设置有第三介质层，以保护第一介质层避免被腐蚀。所述形成MEMS装置的方法可用来形成上述MEMS装置。 | ||
| 搜索关键词： | mems 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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