[发明专利]一种高质量n型碳化硅及其制备方法有效
| 申请号： | 202010236876.1 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111270305B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 方帅;高宇晗;高超 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王宽 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高质量n型碳化硅晶体的制备方法，包括下述步骤：(1)组装阶段；(2)加热阶段；(3)长晶阶段：将含有氮源气体和惰性保护气体的混合气体通入到所述长晶炉内，控制所述长晶炉至所需的压力，在所述籽晶上生长n型碳化硅晶体；其中，随着n型碳化硅晶体的长晶面下移，逐渐提高氮源气体在混合气体的体积分数。本申请的制备方法中，通过在长晶过程中不断调控氮源气体的体积分数，逐渐提高氮源气体的分压，可以抵消长晶过程中长晶面温度上升不利于氮的掺杂，有效避免了由于高温掺氮量降低，而使得晶体电阻率不合格和不均匀的问题；且通过逐渐提高长晶压力来优化调控晶体中的掺氮量，有效提高了掺氮的均匀性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 碳化硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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