[发明专利]一种垂直沟道可调谐高通量声流控分选芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010219745.2 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111389473B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 国世上;桂进争 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 李炜 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直沟道可调谐高通量声流控分选芯片及其制备方法。其器件由带有驻波谐振腔的玻璃片、压电陶瓷片及PDMS(聚二甲基硅氧烷)薄膜组成。驻波谐振腔是由玻璃底片、玻璃垫片I、玻璃隔片I、玻璃垫片II、PDMS薄膜和玻璃顶片从下到上依次叠层封装构成，谐振腔包括两个腔室组成，设置有进样口、出样口。谐振腔的高度为微米级别，宽度为厘米级别，以实现大通量的流体流动。压电陶瓷片粘在谐振腔底部并在两极引出两根导线。压电陶瓷在外加电信号的驱动下，在沟道在垂直方向上产生驻波场，从垂直方向分选不同粒子。本发明制备过程简单，沟道高度可调，成本低廉，可操控性强，方便适用于细胞等生物样本的大通量的聚集、分离和操控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 沟道 调谐 通量 声流控 分选 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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