[发明专利]三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010218580.7 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111244095B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 卢峰;李思晢;高晶;周文斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/50;H10B43/27 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器包括衬底、选择性外延生长结构及沟道结构，沟道结构包括第一沟道结构及第二沟道结构，第一沟道结构位于核心区，第二沟道结构位于台阶区，第一沟道结构包括第一介质层及第一存储通道，第一介质层位于第一存储通道的外侧，位于第一沟道结构底部的选择性外延生长结构设有缺口，部分第一存储通道位于缺口内，且接触选择性外延生长结构；第二沟道结构包括第二介质层及第二存储通道，第二介质层位于第二存储通道与选择性外延生长结构之间，且隔离第二存储通道与选择性外延生长结构。本申请提供的三维存储器避免位于台阶区的选择性外延生长结构出现过刻蚀现象，从而提高制备三维存储器的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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