[发明专利]电子器件在审
| 申请号： | 202010215698.4 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111834452A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | A·巴纳尔吉;P·莫恩斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“电子器件”。本发明公开了一种电子器件，并且该电子器件可以包括HEMT。在实施方案中，该HEMT可以包括栅极电极、漏极电极和存取区域。该存取区域可以包括更靠近栅极电极的第一部分和更靠近漏极电极的第二部分。下介电膜可以覆盖存取区域的一部分，并且上介电区域可以覆盖存取区域的另一部分。在另一实施方案中，介电膜可以具有相对正或负电荷以及变化的厚度。在另一实施方案中，HEMT可以包括栅极互连，该栅极互连穿过接触开口延伸到栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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