[发明专利]一种结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构及制造方法

摘要

本发明提供一种结合鳍式电晶管与SOI电晶管的器件结构及制造方法，基底和位于基底上的氧化层；位于氧化层上的薄层硅，位于薄层硅上的多个硅的凸起结构；形成于多个硅的凸起结构表面以及多个硅的凸起结构之间的所述薄层硅上的一层氧化物，覆盖在氧化物表面并填充在多个硅的凸起结构之间的栅极金属层。本发明将传统的鳍式电晶管结构与SOI电晶管相互融合，形成的器件结构的栅极硅凸起结构外覆盖了一层氧化物，在栅极硅凸起之间也存在氧化物，并且栅极硅凸起结构之间的下方并没有完全将硅薄层去除，形成了漏电流的通道，因此在原有的栅极硅凸起结构中形成漏电流的同时，在栅极硅凸起结构之间的底部也同时形成漏电流，进而极大地提高了漏电流。