[发明专利]三维NAND存储器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010211757.0 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111403409B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;杨星梅;王健舻;吴继君;黄攀;周文斌;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种三维NAND存储器件结构及其制备方法，该方法包括：在支撑基底上形成具有连通的沟道孔的第一及第二叠层结构；在沟道孔的表面上形成功能层、沟道层及填充电介质；形成栅极间隙；在栅极间隙中填充间隙绝缘层；去除支撑基底，并在第一叠层结构的背面形成第三叠层结构；刻蚀第三叠层结构，以形成第一刻蚀窗口，并基于第一刻蚀窗口去除第一沟道孔底部的功能层；在第一刻蚀窗口中填充沟道连接层。通过在沟道孔背面对应的位置上形成沟道连接层，避免了从沟道孔正面进行打孔工艺实现沟道连接层与沟道层的连接时，使上沟道孔与下沟道孔连接部位的功能层受损的风险；另外，形成沟道连接层的工艺复杂度低，易于控制且良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 nand 存储 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010211757.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种分级机自动质检方法、系统及装置
- 下一篇：一种保温墙施工方法
