[发明专利]一种沟槽RC-IGBT器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010207447.1 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN111244171A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 伽亚帕·维拉玛·苏巴斯;汤艺;永福 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 314006 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种沟槽RC‑IGBT器件结构及其制作方法，主要包括N型衬底及设置在N型衬底顶部的P阱层，所述P阱层上通过第一接触孔和第二接触孔连接有金属层，所述第一接触孔两侧的P阱层内朝向N型衬底一侧分别设置有沟槽，该沟槽内通过氧化层设置有与沟槽形状对应的多晶硅层，所述N型衬底靠近第一接触孔的一侧设置有与P阱层接触的N型电荷储存层，所述N型衬底的底部设置有N型场终止层；所述金属层为阶梯状结构，且第一接触孔上部金属层的高度高于第二接触孔上部金属层的高度，所述金属层及金属层覆盖区域依次形成了IGBT单胞区及FRD单胞区，N型衬底上未设置金属层的一侧形成了终端区域；它具有工艺控制简单，与通用的沟槽型IGBT工艺兼容等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 rc igbt 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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