[发明专利]基于Si-Ge2在审

专利信息
申请号: 202010202823.8 申请日: 2020-03-20
公开(公告)号: CN111258001A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 刘富荣;李玉;张永志;韩钊;陈清远;孙腾 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G02B6/35 分类号: G02B6/35;G02B6/12;G02B6/124;G02B6/136;G02B6/132;G02B6/13
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 基于Si‑Ge2Sb2Te5混合波导的片上光子多级开关,属于皮秒激光和连续激光应用技术领域。本发明基于激光多脉冲作用和倏逝波耦合理论。非晶Ge2Sb2Te5和单模Si波导直接耦合,Ge2Sb2Te5薄膜通过磁控溅射法沉积,通过调节皮秒激光脉冲数和脉冲能量来调节Ge2Sb2Te5不同结晶状态实现多级开关操作。本器件不需要维持传统光开关由于热光效应和电光效应带来的能耗,是一种绿色的器件。并且由于Ge2Sb2Te5在不同结晶状态下具有不同的光学常数,其晶态折射率和消光系数高于非晶态的折射率和消光系数,这使得材料与光的耦合及对光的吸收能力不同,进而实现多级操作。本发明可广泛应用于光通信系统。
搜索关键词: 基于 si ge base sub
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