[发明专利]图案化半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202010195540.5 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111755324A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张竞予;许仲豪;童思频;陈濬凯;王仁宏;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开一种图案化半导体装置的方法，在三层光刻胶中的图案化的光刻胶层上方形成的硬遮罩以及一种使用此硬遮罩以图案化目标层的方法。在一些实施例中，提供了一种方法包括在第一硬遮罩层上方沉积光刻胶层，图案化光刻胶层以在光刻胶层中形成多个开口，在光刻胶层上方沉积第二硬遮罩层，第二硬遮罩层填充多个开口，第二硬遮罩层相对于第一硬遮罩层具有第一蚀刻选择性，光刻胶层相对于第一硬遮罩层具有第二蚀刻选择性，第一蚀刻选择性大于第二蚀刻选择性，平坦化第二硬遮罩层，去除光刻胶层，使用第二硬遮罩层作为遮罩蚀刻第一硬遮罩层。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
