[发明专利]石墨烯场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010191621.8 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111509047B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王程;贾原;叶巍翔;张博;李扬;赵晓楠 | 申请（专利权）人： | 天津师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/10;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 王勤思 |
| 地址： | 300380 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯场效应晶体管，包括：基底；栅极结构，设置于所述基底上且所述栅极结构表面形成有多个微米或纳米级的凹槽；石墨烯沟道层，设置于所述栅极结构上，横跨多个所述凹槽，并与多个所述凹槽之间形成多个第一空腔；保护层，呈倒U型覆盖所述石墨烯沟道层，且与所述石墨烯沟道层之间形成第二空腔；第一源极和第一漏极，设置于所述第二空腔内，分别位于与所述石墨烯沟道层的两端；第二源极和第二漏极，设置于所述第二空腔外；和电导层，设置于所述基底上，电连通所述第一源极和所述第二源极。本发明还涉及一种所述石墨烯场效应晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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