[发明专利]形成半导体器件及其结构的方法在审
| 申请号： | 202010189358.9 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN112103334A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | D·E·普罗布斯特;P·A·伯克;P·文卡特拉曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“形成半导体器件及其结构的方法”。在一个实施方案中，半导体器件形成为具有形成在半导体器件的有源区域内的多个有源沟槽。第一绝缘体沿着每个有源沟槽的侧壁的至少一部分形成。周边终止沟槽围绕有源区域形成。该周边终止沟槽形成为具有与有源区域相邻的第一侧壁和与该第一侧壁相对的第二侧壁。绝缘体沿着第二侧壁形成，该绝缘体的厚度大于沿着第一侧壁形成的绝缘体的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 及其 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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