[发明专利]一种超厚转接板的制作方法有效
| 申请号： | 202010186946.7 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111293079B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 郁发新;冯光建;王志宇;张兵 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 陈升华 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超厚转接板的制作方法，包括：转接板采用具有SOI层的硅片，在具有SOI层的硅片的底部做硅通孔，沉积钝化层和种子层，之后电镀金属；在底部电镀金属的硅片的顶部做硅通孔，为顶部硅通孔；在顶部开有硅通孔的硅片的顶部硅通孔沉积钝化层然后刻蚀打开钝化层，然后做电镀种子层，在顶部硅通孔表面电镀填充金属；沉积种子层，电镀填充金属，通过抛光去除转接板两面的金属层，得到超厚转接板。本发明通过在硅片表面制作不同的TSV孔，使硅片上下表面能进行电互联，所做TSV孔深度较大，能够使硅片不用临时键合工艺也能方便制作，大大较少了转接板的制作成本，有力的推动了转接板的普及。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 转接 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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