[发明专利]基于跨导补偿法的类Fin侧墙调制的HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010177072.9 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111430456B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 宓珉瀚;马晓华;王鹏飞;张濛;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于跨导补偿法的类Fin侧墙调制的HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件包括：衬底层；插入层，位于衬底层上；缓冲层，位于插入层上；源电极，位于缓冲层的一端；漏电极，位于缓冲层的另一端；势垒层，位于缓冲层上，且位于源电极和漏电极之间，其中，势垒层上设置有沿栅宽方向排列的若干凹槽，凹槽的深度小于势垒层的厚度；钝化层，覆盖在源电极、漏电极和势垒层上，其中，沿栅宽方向上，钝化层中贯穿有栅槽，且若干凹槽位于栅槽下；栅电极，位于若干凹槽和栅槽中，且位于钝化层表面；金属互联层，贯穿钝化层且位于源电极、漏电极上。该HEMT器件通过沿栅宽方向排列若干凹槽形成类Fin结构，可以满足高频高线性和高压高线性的应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 补偿 fin 调制 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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