[发明专利]一种场反位形等离子体中的磁场测量方法有效

专利信息
申请号: 202010175193.X 申请日: 2020-03-13
公开(公告)号: CN111337863B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 徐田超;杨肖易;肖池阶;邓必河;黄贤礼;李松健 申请(专利权)人: 北京大学;新奥科技发展有限公司
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 高园园
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种场反位形(FRC)等离子体中的磁场测量方法,该方法采用激光离子束轨迹探针(LITP)来测量FRC等离子体中的磁场,激光离子加速器产生的离子束经准直器入射至场反位形装置;测量不同能量的离子在所述场反位形等离子体中的磁场中的环向偏转角(Φt‑2α0)、轴向位移Z以及飞行时间T;确定所述环向偏转角(Φt‑2α0)、所述轴向位移Z以及所述飞行时间T与所述场反位形等离子体中的磁场的极向磁场剖面的定量关系,非线性重构所述极向磁场剖面。本发明的方法(LITP)能够针对具体给定的FRC位形,给出LITP诊断磁场的误差水平、LITP样机的关键参数及系统框架等。
搜索关键词: 一种 场反位形 等离子体 中的 磁场 测量方法
【主权项】:
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