[发明专利]基于倾斜光栅的硅基垂直耦合激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010161864.7 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111355127A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 曹玉莲;刘建国;张志珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/026;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种基于倾斜光栅的硅基垂直耦合激光器及其制备方法，其基于倾斜光栅的硅基垂直耦合激光器，自下而上顺次包括：SOI(Silicon on SiO |
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| 搜索关键词： | 基于 倾斜 光栅 垂直 耦合 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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